Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica
- ISSN: 1413-2206
- Volume/Número/Paginação/Ano: n.02, 1997
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 02, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1997). Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (02). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1997 ;(02):[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1997 ;(02):[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf - Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET
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BT-PEE-97_02_251016_08553... | Direct link |
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