Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP ; ITOCAZU, VITOR TATSUO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v12i2.455
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
-
ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455 -
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455 -
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455 - Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs.
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Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v12i2.455 (Fonte: oaDOI API)
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