Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP ; ITOCAZU, VITOR TATSUO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v12i2.455
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 09 abr. 2026. -
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455 -
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455 -
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455 - Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs.
- Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation
- Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET
- Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET
- Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW)
- Efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos
- Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k)
- Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores
- Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
- Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura
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