Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (2001)
- Authors:
- Autor USP: SONNENBERG, VICTOR - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PTC
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho são propostos novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores MOS implementados em lâminas de Silício-Sobre-Isolante. Através do capacitor SOI de dois terminais são propostos os métodos para a determinação da concentração de dopantes do substrato (Nab), da carga efetiva de óxido na terceira interface (Qox3) e da espessura do óxido enterrado (toxb). Usando o capacitor SOI de três terminais, os métodos para a determinação da espessura da camada de silício (tSi), da concentração de dopantes da camada de silício (Naf ou Ndf) e das cargas efetivas de óxido na primeira (Qox1) e na segunda (Qox2) interface também são propostos. Simulações numéricas bidimensionais, utilizando-se o MEDICI, são realizadas para a análise das curvas Capacitância-Tensão (CxV) dos capacitores SOI e também para a validação e a análise da sensibilidade dos métodos propostos. Os métodos são aplicados experimentalmente e resultados coerentes com a tecnologia SOI analisada são obtidos. A principal vantagem dos métodos propostos é sua simplicidade de aplicação, pois parâmetros importantes da tecnologia SOI são obtidos através de simples curvas Capacitância-Tensão de capacitores MOS fabricados em lâminas SOI.
- Imprenta:
- Data da defesa: 21.09.2001
-
ABNT
SONNENBERG, Victor. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Sonnenberg, V. (2001). Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php -
NLM
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php -
Vancouver
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php - Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k)
- Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET
- Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET
- Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies
- Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films
- Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs.
- Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos
- Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation
- Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices
- Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
