Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP ; ABÊ, VERÔNICA CHRISTIANO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3474177
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.31, n.1, p. 333-340, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CHRISTIANO, Veronica et al. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 333-340, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474177. Acesso em: 31 dez. 2025. -
APA
Christiano, V., Gozzi, G., Sonnenberg, V., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 333-340. doi:10.1149/1.3474177 -
NLM
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2025 dez. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177 -
Vancouver
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2025 dez. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177 - Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3474177 (Fonte: oaDOI API)
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