Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIÃO GOMES DOS - EP ; HUANCA, DANILO ROQUE - EP ; ABÊ, VERÔNICA CHRISTIANO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0383ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
HUANCA, Danilo Roque et al. Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0383ecst. Acesso em: 04 ago. 2025. -
APA
Huanca, D. R., Christiano, V., Adelmann, C., Kellerman, G., Verdonck, P. B., & Santos Filho, S. G. dos. (2012). Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0383ecst -
NLM
Huanca DR, Christiano V, Adelmann C, Kellerman G, Verdonck PB, Santos Filho SG dos. Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0383ecst -
Vancouver
Huanca DR, Christiano V, Adelmann C, Kellerman G, Verdonck PB, Santos Filho SG dos. Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0383ecst - Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films
- Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS
- Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP)
- Estruturas multicamadas de silício poroso para aplicação em dispositivos de cristais fotônicos
- Microtubos e nanotubos de silício fabricados por processos químicos e eletroquímicos
- Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations
- Influence of the 'SI' / 'SI''O IND.2' interface roughness on electronic roughness
- Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp
- A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density
- Aplicação de filmes de siliceto de titanio e do escoamento térmico rapido de camadas de PSG na fabricação de circuitos integrados nMOS
Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0383ecst (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
3148911.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
