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Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) (1996)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: SONNENBERG, VICTOR - EP
  • Unidades: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, foi analisada a regiao de sublimiar do transistor soi mosfet de camada fina operando a temperatura ambiente e criogenica (t=77k) atraves do inverso da inclinacao de sublimiar (fator s) em funcao da tensao do substrato. Realizou-se simulacoes numericas bidimensionais medici para avaliar o efeito da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface no fator s, nas condicoes de segunda interface acumulada e depletada e foi proposto um metodo simples para a determinacao destas densidades. Experimentalmente, observou-se uma regiao de transicao entre o fator s com a segunda interface acumulada e o fator s com a segunda interface depletada nao modelada pelas equacoes classicas. Pela literatura esta regiao de transicao e causada pela variacao da densidade de armadilhas na segunda interface, no entanto, esta transicao pode ser causada pelo fato da segunda interface nao estar totalmente depletada, comprovado atraves de simulacoes da regiao de deplecao. Nas medidas realizadas a temperatura criogenica observou-se efeitos transitorios causados pela nao formacao da camada de acumulacao na segunda interface. Desenvolveu-se um metodo experimental para se reduzir estes efeitos transitorios.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 20.12.1996

  • How to cite
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    • ABNT

      SONNENBERG, Victor; MARTINO, João Antonio. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996.
    • APA

      Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1996). Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Sonnenberg V, Martino JA. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996 ;
    • Vancouver

      Sonnenberg V, Martino JA. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996 ;

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