Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) (1996)
- Authors:
- Autor USP: SONNENBERG, VICTOR - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, foi analisada a região de sublimiar do transistorSOI MOSFET de camada fina operando a temperatura ambiente e criogênica (T=77K) através do inverso da inclinação de sublimiar (Fator S) em função da tensão do substrato. Realizou-se simulações numéricas bidimensionais MEDICI para avaliar o efeito da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface no Fator S, nas condições de segunda interface acumulada e depletada e foi proposto um método simples para a determinação destas densidades. Experimentalmente, observou-se uma região de transição entre o Fator S com a segunda interface acumulada e o Fator S com a segunda interface depletada não modelada pelas equações clássicas. Pela literatura esta região de transição é causada pela variação da densidade de armadilhas na segunda interface, no entanto, esta transição pode ser causada pelo fato da segunda interface não estar totalmente depletada, comprovado atravás de simulações da região de depleção. Nas medidas realizadas a temperatura criogênica observou-se efeitos transitórios causados pela não formação da camada de acumulação na segunda interface. Desenvolveu-se um método experimental para se reduzir estes efeitos transitórios.
- Imprenta:
- Data da defesa: 20.12.1996
-
ABNT
SONNENBERG, Victor. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Sonnenberg, V. (1996). Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Sonnenberg V. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Sonnenberg V. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996 ;[citado 2024 set. 19 ] - Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores
- Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET
- Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies
- Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films
- Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs.
- Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos
- Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs
- Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation
- Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
