Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP ; ITOCAZU, VITOR TATSUO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0511ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: bronze
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0511ecst -
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst -
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst - Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies
- Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation
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Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0511ecst (Fonte: oaDOI API)
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