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Artigo de periodico
Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data (2023)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v18il.653
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653
Trabalho de evento
Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET (2022)
Camargo, Raphael Gil; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: ANÁLISE TÉRMICA, AMPLIFICADORES
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ABNT
CAMARGO, Raphael Gil e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Camargo, R. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
NLM
Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
Vancouver
Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
Artigo de periodico
Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
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ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328
NLM
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Vancouver
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
NLM
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Vancouver
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Artigo de periodico
Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238
NLM
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Vancouver
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Trabalho de evento
Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator (2022)
Silva, Wenita de Lima; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTABILIDADE, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. [s.L.]: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Silva, W. de L., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO: proceedings. [s.L.]: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
NLM
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
Vancouver
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
Trabalho de evento
Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's (2022)
Ribeiro, Arllen D.R.; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, INOVAÇÕES TECNOLÓGICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R. et al. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Trabalho de evento
Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SENSORES BIOMÉDICOS, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Duarte, P. H. (2022). Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
NLM
Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
Vancouver
Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
Artigo de periodico
Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs (2022)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martens, Koen; Simoen, Eddy ; Van Dorpe, Pol; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOELETRÔNICA, DNA
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld et al. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B., Martens, K., Simoen, E., Van Dorpe, P., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108358
NLM
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Vancouver
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Trabalho de evento
Monte Carlo analysis of a fractional-order MOS capacitor using fractal tree implementation (2022)
Fernandes, Lucas Almir dos Santos; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: FRACTAIS, MÉTODO DE MONTE CARLO, SIMULAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDES, Lucas Almir dos Santos e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías e MARTINO, João Antonio. Monte Carlo analysis of a fractional-order MOS capacitor using fractal tree implementation. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881030. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Fernandes, L. A. dos S., Alayo Chávez, M. I., & Martino, J. A. (2022). Monte Carlo analysis of a fractional-order MOS capacitor using fractal tree implementation. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881030
NLM
Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Monte Carlo analysis of a fractional-order MOS capacitor using fractal tree implementation [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881030
Vancouver
Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Monte Carlo analysis of a fractional-order MOS capacitor using fractal tree implementation [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881030
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
NLM
Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Vancouver
Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
NLM
Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Vancouver
Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Vancouver
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Trabalho de evento
Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K (2022)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049
NLM
Perina WF, Martino JA, Agopian PGD. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Agopian PGD. Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881049
Trabalho de evento
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ALUMÍNIO, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
NLM
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Vancouver
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Artigo de periodico
Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C (2022)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Leal, João Vitor da Costa; Perina, Welder F; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, A; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, NANOTECNOLOGIA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 1, p. 1-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Silva, V. C. P. da, Leal, J. V. da C., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v17i1.550
NLM
Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550
Vancouver
Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Vancouver
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Trabalho de evento
Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2022). Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
Artigo de periodico
Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature (2022)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, v. 191, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267. Acesso em: 25 jun. 2024.
APA
Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, 191, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2022.108267
NLM
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267
Vancouver
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2024 jun. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267

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