Artigo de periodico

Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C (2022)

• Authors:
  • Silva, Vanessa Cristina Pereira da
  • Leal, João Vitor da Costa
  • Perina, Welder F
  • Martino, João Antonio
  • Simoen, Eddy
  • Veloso, A
  • Agopian, Paula Ghedini Der
• USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA DA - EP ; LEAL, JOÃO VITOR DA COSTA - EP ; PERINA, WELDER FERNANDES - EP
• Unidade: EP
• DOI: 10.29292/jics.v17i1.550
• Subjects: TRANSISTORES; NANOTECNOLOGIA; BAIXA TEMPERATURA
• Agências de fomento:
  • Financiamento CNPq
  • Financiamento CAPES
• Language: Inglês
• Imprenta:
  • Publisher place: Porto Alegre
  • Date published: 2022
• Source:
  • Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
  • ISSN: 1807-1953
  • Volume/Número/Paginação/Ano: v.17, n. 1, p.1-6, 2022


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Status:

Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)

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• ABNT

  SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 1, p. 1-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550. Acesso em: 06 maio 2026.

• APA

  Silva, V. C. P. da, Leal, J. V. da C., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v17i1.550

• NLM

  Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550

• Vancouver

  Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550

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