Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA DA - EP ; LEAL, JOÃO VITOR DA COSTA - EP ; PERINA, WELDER FERNANDES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v17i1.550
- Subjects: TRANSISTORES; NANOTECNOLOGIA; BAIXA TEMPERATURA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2022
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.17, n. 1, p.1-6, 2022
- Este artigo possui versão em acesso aberto
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- Versão do Documento: Versão publicada (Published version)
-
Status: Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access) -
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 1, p. 1-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550. Acesso em: 10 mar. 2026. -
APA
Silva, V. C. P. da, Leal, J. V. da C., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v17i1.550 -
NLM
Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550 -
Vancouver
Silva VCP da, Leal JV da C, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ;17( 1): 1-6.[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17il.550 - Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature
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