Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, VANESSA CRISTINA PEREIRA DA - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2022.108267
- Subjects: TRANSISTORES; ALTA TEMPERATURA
- Keywords: OPERAÇÕES ANALÓGICAS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.191, p. 1-8, article nº 108267, May 2022
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, v. 191, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267. Acesso em: 05 jan. 2026. -
APA
Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, 191, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2022.108267 -
NLM
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267 -
Vancouver
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267 - Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados
- Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors
- Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes
- Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C
- Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2022.108267 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Sysno 3161760 Trade-off a... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
