Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; PERINA, WELDER FERNANDES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2023.108742
- Subjects: TRANSISTORES; CIRCUITOS ANALÓGICOS; TEMPERATURA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 208, p. 1-4, 2023. Article nº108742
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 05 jan. 2026. -
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742 -
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742 -
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742 - Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications
- Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K
- Experimental analysis of MISHEMT multiple conductions from 200K to 450K
- Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C
- MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
- Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas
- Experimental analysis of trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency of nanosheet NMOSFET down to -100°C
- Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2023.108742 (Fonte: oaDOI API)
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Experimental study of MIS... |
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