Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SOUSA, JULIA CRISTINA SOARES - EP ; PERINA, WELDER FERNANDES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2022.108238
- Subjects: NANOTECNOLOGIA; CIRCUITOS ANALÓGICOS; TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.189, p. 1-9, article nº 108238, 2022
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 05 jan. 2026. -
APA
Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238 -
NLM
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238 -
Vancouver
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238 - Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2022.108238 (Fonte: oaDOI API)
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