MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; CANALES, BRUNO GODOY - EP ; PERINA, WELDER FERNANDES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1088/1361-6641/acfa1f
- Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 1361-6641
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004
- Status:
- Artigo aberto em periódico híbrido (Hybrid Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 07 maio 2026. -
APA
Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f -
NLM
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f -
Vancouver
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f - Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
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| Tipo | Nome | Link | |
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MISHEMT intrinsic voltage... |
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