Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; CANALES, BRUNO GODOY - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
- Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: [Piscataway]
- Date published: 2023
- Source:
- Título: SBMicro
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro)
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593 -
NLM
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593 -
Vancouver
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593 - MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
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Influence of gate insulat... |
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