Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; TOLÊDO, RODRIGO DO NASCIMENTO - EP ; NOGUEIRA, ALEXANDRO DE MORAES - EP ; SILVA, WENITA DE LIMA - EP ; GONÇALEZ FILHO, WALTER - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2022.108328
- Subjects: TRANSISTORES; CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 194, p. 1-4, 2022. Article nº 108328
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 06 maio 2026. -
APA
Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328 -
NLM
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328 -
Vancouver
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328 - Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis
- Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator
- Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator
- Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data
- Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
- Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios.
- Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.
- Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs
- Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício
- Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Sysno 3156937 Comparison ... |
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