Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; TOLÊDO, RODRIGO DO NASCIMENTO - EP ; NOGUEIRA, ALEXANDRO DE MORAES - EP ; SILVA, WENITA DE LIMA - EP ; GONÇALEZ FILHO, WALTER - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2022.108328
- Subjects: TRANSISTORES; CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 194, p. 1-4, 2022. Article nº 108328
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 24 nov. 2025. -
APA
Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328 -
NLM
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328 -
Vancouver
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328 - Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2022.108328 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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Sysno 3156937 Comparison ... |
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