Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, WENITA DE LIMA - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041
- Subjects: SEMICONDUTORES; ESTABILIDADE; CIRCUITOS ANALÓGICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: SBMICRO: proceedings
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
SILVA, Wenita de Lima e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. [s.L.]: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041. Acesso em: 10 mar. 2026. -
APA
Silva, W. de L., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO: proceedings. [s.L.]: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041 -
NLM
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041 -
Vancouver
Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2026 mar. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041 - Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs
- Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis
- Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data
- Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
- Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
| Sysno 3158185 Experimenta... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
