Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SILVA, WENITA DE LIMA - EP ; TOLÊDO, RODRIGO DO NASCIMENTO - EP ; GONÇALEZ FILHO, WALTER - EP ; NOGUEIRA, ALEXANDRO DE MORAES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2023.108611
- Subjects: TRANSISTORES; CIRCUITOS ANALÓGICOS; NANOTECNOLOGIA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 202, p. 1-8, Apr. 2023. Article nº 108611
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
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-
ABNT
SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 06 maio 2026. -
APA
Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611 -
NLM
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611 -
Vancouver
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611 - Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data
- Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator
- Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator
- Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data
- Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies
- Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios.
- Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.
- Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs
- Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício
- Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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