Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; TOLÊDO, RODRIGO DO NASCIMENTO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1088/1361-6641/aceb84
- Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS; TRANSISTORES
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 0268-1242
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023. Article nº 095013
- Status:
- Artigo aberto em periódico híbrido (Hybrid Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
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-
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 06 maio 2026. -
APA
Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84 -
NLM
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84 -
Vancouver
Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84 - Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator
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Hybrid low-dropout voltag... |
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