Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: *******MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP ; RAMOS, DANIEL AUGUSTO - EP ; YOJO, LEONARDO SHIMIZU - EP ; MORI, CARLOS AUGUSTO BERGFELD - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
- Subjects: TRANSISTORES; PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2022
- Source:
- Título: SBMICRO
- Volume/Número/Paginação/Ano: p. 1-4
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2022). Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031 -
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031 -
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031 - Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity
- ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs
- Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral
- Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB
- Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor
- Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor
- Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET
Informações sobre o DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Fabrication_and_Electrica... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
