Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP ; RAMOS, DANIEL AUGUSTO - EP ; YOJO, LEONARDO SHIMIZU - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/11101.0279ecst
- Subjects: ELETRODO; REFRATÁRIOS; METALOGRAFIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Philadelphia
- Date published: 2023
- Source:
- Título: ECS Transactions
- ISSN: 1938-6737
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 111, n. 1,p. 279-284, 2023
- Status:
- Artigo possui acesso gratuito no site do editor (Bronze Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 08 abr. 2026. -
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst -
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst -
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst - Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing
- ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral
- Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores
- Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor
- Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET
- Study of ISFET for KCl sensing
- Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET
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