Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; CARVALHO, HENRIQUE LANFREDI - EP ; RANGEL, RICARDO CARDOSO - EP ; YOJO, LEONARDO SHIMIZU - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
- Subjects: TRANSISTORES; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; ALUMÍNIO; NANOELETRÔNICA; CIRCUITOS ANALÓGICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2022
- Source:
- Título: SBMICRO
- Volume/Número/Paginação/Ano: p. 1-4
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960 -
NLM
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960 -
Vancouver
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960 - Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte
- Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET
- Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet
- Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET
- Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores
- Study of ISFET for KCl sensing
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity
- Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing
Informações sobre o DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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Al_Source-Drain_Schottky_... |
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