Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; MORI, CARLOS AUGUSTO BERGFELD - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2022.108358
- Subjects: NANOELETRÔNICA; DNA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 194, p.1-4, 2022. Article nº 108358
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld et al. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358. Acesso em: 13 nov. 2024. -
APA
Mori, C. A. B., Martens, K., Simoen, E., Van Dorpe, P., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108358 -
NLM
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358 -
Vancouver
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358 - Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB
- Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor
- Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing
- Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2022.108358 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Sysno 3156919 Signal to n... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
