Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; CAMARGO, RAPHAEL GIL - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962
- Subjects: ANÁLISE TÉRMICA; AMPLIFICADORES
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2022
- Source:
- Título: SBMICRO
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
CAMARGO, Raphael Gil e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962. Acesso em: 12 abr. 2026. -
APA
Camargo, R. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962 -
NLM
Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2026 abr. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962 -
Vancouver
Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2026 abr. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962 - Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas
- Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
- Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
- Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Sysno 3156957 Temperature... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
