A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP ; NICOLETT, APARECIDO SIRLEY - EP
- Unidade: EP
- Assunto: FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos
- ISSN: 1517-3542
- Volume/Número/Paginação/Ano: n.10, 2002
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 10, 2002Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6140aac5-c46f-4c1c-99bd-ff0bbbbcc0e8/BT-PSI-02_10_250925_144925.pdf. Acesso em: 15 mar. 2026. -
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (2002). A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (10). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6140aac5-c46f-4c1c-99bd-ff0bbbbcc0e8/BT-PSI-02_10_250925_144925.pdf -
NLM
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2002 ;(10):[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6140aac5-c46f-4c1c-99bd-ff0bbbbcc0e8/BT-PSI-02_10_250925_144925.pdf -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2002 ;(10):[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6140aac5-c46f-4c1c-99bd-ff0bbbbcc0e8/BT-PSI-02_10_250925_144925.pdf - Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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BT-PSI-02_10_250925_14492... | Direct link |
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