Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS (1995)
- Authors:
- Autor USP: NICOLETT, APARECIDO SIRLEY - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PMT
- Assunto: MATERIAIS
- Language: Português
- Abstract: A resistência série e o comprimento efetivo de canal são dois parâmetros de extrema importância para a correta caracterização dos dispositivos MOSFET's. A dependência destes parâmetros em função das condições de polarização e temperatura é abordada, atualmente, em muitos dos métodos existentes, os quais reforçam a importância destes parâmetros na caracterização de uma tecnologia MOS, e expõem as dificuldades da extração destes parâmetros, principalmente para dispositivos com dimensões submicrométricas e que normalmente utilizam estrutura LDD. Os resultados obtidos da resistência série e do comprimento efetivo de canal mostraram-se dependentes das condições de polarização e temperatura, porém alguns destes apresentaram valores negativos para ('l ind.masc' - 'l ind.ef'), indicando que o comprimento efetivo de canal era maior que o comprimento de canal definido pela máscara. A análise detalhada desses resultados foi realizada com a utilização dos programas bidimensionais TSUPREM-4 e MEDICI, na qual foi estudada a inflência de diferentes resistências série e do fator de degradação da mobilidade na extração da resistência série e do comprimento efetivo de canal. Foi demonstrado que, se o fator de degradação da mobilidade for diferente para cada transistor da cascata utilizada na extração do ('l ind.masc' - 'l ind.ef'), valores negativos podem ser obtidos.
- Imprenta:
- Data da defesa: 11.12.1995
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. 1995. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/. Acesso em: 15 mar. 2026. -
APA
Nicolett, A. S. (1995). Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/ -
NLM
Nicolett AS. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS [Internet]. 1995 ;[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/ -
Vancouver
Nicolett AS. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS [Internet]. 1995 ;[citado 2026 mar. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/
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