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Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS (1995)

  • Authors:
  • Autor USP: NICOLETT, APARECIDO SIRLEY - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PMT
  • Assunto: MATERIAIS
  • Language: Português
  • Abstract: A resistência série e o comprimento efetivo de canal são dois parâmetros de extrema importância para a correta caracterização dos dispositivos MOSFET's. A dependência destes parâmetros em função das condições de polarização e temperatura é abordada, atualmente, em muitos dos métodos existentes, os quais reforçam a importância destes parâmetros na caracterização de uma tecnologia MOS, e expõem as dificuldades da extração destes parâmetros, principalmente para dispositivos com dimensões submicrométricas e que normalmente utilizam estrutura LDD. Os resultados obtidos da resistência série e do comprimento efetivo de canal mostraram-se dependentes das condições de polarização e temperatura, porém alguns destes apresentaram valores negativos para ('l ind.masc' - 'l ind.ef'), indicando que o comprimento efetivo de canal era maior que o comprimento de canal definido pela máscara. A análise detalhada desses resultados foi realizada com a utilização dos programas bidimensionais TSUPREM-4 e MEDICI, na qual foi estudada a inflência de diferentes resistências série e do fator de degradação da mobilidade na extração da resistência série e do comprimento efetivo de canal. Foi demonstrado que, se o fator de degradação da mobilidade for diferente para cada transistor da cascata utilizada na extração do ('l ind.masc' - 'l ind.ef'), valores negativos podem ser obtidos.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 11.12.1995

  • How to cite
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    • ABNT

      NICOLETT, Aparecido Sirley; MARTINO, João Antonio. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. 1995.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995.
    • APA

      Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (1995). Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Nicolett AS, Martino JA. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. 1995 ;
    • Vancouver

      Nicolett AS, Martino JA. Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores mos convencionais e SOI MOS. 1995 ;


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