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Artigo de periodico
Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations (2010)
Cardoso, Juliana Lopes; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assuntos: ELETROQUÍMICA, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CARDOSO, Juliana Lopes e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 95-102, 2010Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Cardoso, J. L., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 95-102.
NLM
Cardoso JL, Santos Filho SG dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 95-102.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Cardoso JL, Santos Filho SG dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 95-102.[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density (2001)
Toquetti, Leandro Zeidan; Nogueira, Willian Aurélio; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e NOGUEIRA, Willian Aurélio e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2001). A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Toquetti LZ, Nogueira WA, Santos Filho SG dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Nogueira WA, Santos Filho SG dos. A practical procedure to match the measured capacitance of low and high frequency in order to obtain the energy distribution of the interface stated density. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Characterization of Ni/TiSi2 contacts fabricated onto N+P junctions (2001)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
REIS, Ronaldo Willian e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Characterization of Ni/TiSi2 contacts fabricated onto N+P junctions. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Reis, R. W., & Santos Filho, S. G. dos. (2001). Characterization of Ni/TiSi2 contacts fabricated onto N+P junctions. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Reis RW, Santos Filho SG dos. Characterization of Ni/TiSi2 contacts fabricated onto N+P junctions. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Reis RW, Santos Filho SG dos. Characterization of Ni/TiSi2 contacts fabricated onto N+P junctions. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Simulations of an interference birefringent thin film filter used as a narrow-band polarizer (2001)
Araújo, Hugo Puertas de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ARAÚJO, Hugo Puertas de e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Simulations of an interference birefringent thin film filter used as a narrow-band polarizer. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Araújo, H. P. de, & Santos Filho, S. G. dos. (2001). Simulations of an interference birefringent thin film filter used as a narrow-band polarizer. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Araújo HP de, Santos Filho SG dos. Simulations of an interference birefringent thin film filter used as a narrow-band polarizer. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Araújo HP de, Santos Filho SG dos. Simulations of an interference birefringent thin film filter used as a narrow-band polarizer. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Temporal evolution of roughness in electroless copper films (2001)
Hasan, Nasser Mahmoud; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Schwazacher, Walter
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e SCHWAZACHER, Walter. Temporal evolution of roughness in electroless copper films. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hasan, N. M., Santos Filho, S. G. dos, & Schwazacher, W. (2001). Temporal evolution of roughness in electroless copper films. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Hasan NM, Santos Filho SG dos, Schwazacher W. Temporal evolution of roughness in electroless copper films. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Hasan NM, Santos Filho SG dos, Schwazacher W. Temporal evolution of roughness in electroless copper films. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Analysis of the surface roughness and surface particle concentration using a new technique: integrated angle resolved LASER scattering (IARLS) (2000)
Souza Filho, José Cândido de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2000: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SOUZA FILHO, José Cândido de e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Analysis of the surface roughness and surface particle concentration using a new technique: integrated angle resolved LASER scattering (IARLS). 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Souza Filho, J. C. de, & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Analysis of the surface roughness and surface particle concentration using a new technique: integrated angle resolved LASER scattering (IARLS). In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Souza Filho JC de, Santos Filho SG dos. Analysis of the surface roughness and surface particle concentration using a new technique: integrated angle resolved LASER scattering (IARLS). SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Souza Filho JC de, Santos Filho SG dos. Analysis of the surface roughness and surface particle concentration using a new technique: integrated angle resolved LASER scattering (IARLS). SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO (2000)
Nogueira, Willian Aurélio; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2000: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, Willian Aurélio e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Partial dielectric breakdown in MOS gate oxide grown by RTO. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Electrical simulations of gate-controlled diodes in order to show their feasibility as luminous radiation sensors (2000)
Araújo, Hugo Puertas de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2000 : proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAÚJO, Hugo Puertas de e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Electrical simulations of gate-controlled diodes in order to show their feasibility as luminous radiation sensors. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Araújo, H. P. de, & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Electrical simulations of gate-controlled diodes in order to show their feasibility as luminous radiation sensors. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Araújo HP de, Santos Filho SG dos. Electrical simulations of gate-controlled diodes in order to show their feasibility as luminous radiation sensors. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Araújo HP de, Santos Filho SG dos. Electrical simulations of gate-controlled diodes in order to show their feasibility as luminous radiation sensors. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 16, 2000Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (16). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
Trabalho de evento
A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: SBMicro 2000: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. In SBMicro 2000: proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. A new experimental procedure to obtain the refractive index of MOS gate oxynitrides grown by RTP in N2O atmosphere. SBMicro 2000: proceedings. 2000 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Tese (Livre Docência)
Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais (1999)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais. 1999. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Santos Filho, S. G. dos. (1999). Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php
NLM
Santos Filho SG dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php
Vancouver
Santos Filho SG dos. Engenharia de superfícies e de interfaces aplicada na fabricação de circuitos integrados: cinética da oxidação térmica rápida do silício e deposição eletroquímica de metais [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-08102025-110131/pt-br.php
Artigo de periodico
Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (1998)
Hasan, Nasser Mahmoud; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 13, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hasan, N. M., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (13). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
NLM
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
Vancouver
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf
Artigo de periodico
Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea (1998)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 14, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf. Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hashimoto, A. I., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (14). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
NLM
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(14):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
Vancouver
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(14):[citado 2025 nov. 15 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/98350026-1a6c-4e32-a53b-976426f47d38/BT-PEE-98_14_250925_151714.pdf
Trabalho de evento
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom) (1997)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão (1997)
Souza, S G; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, S G e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Souza, S. G., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Relatorio tecnico
Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering (1997)
Souza Filho, J C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1997
APA
Souza Filho, J. C., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom) (1997)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Hashimoto, A. I., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp (1996)
Pires, M O C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: [Resumos]. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIRES, M O C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp. 1996, Anais.. São Paulo: Usp, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Pires, M. O. C., & Santos Filho, S. G. dos. (1996). Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp. In [Resumos]. São Paulo: Usp.
NLM
Pires MOC, Santos Filho SG dos. Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Pires MOC, Santos Filho SG dos. Construcao de termopares sobre laminas de silicio para calibracao de fornos rtp. [Resumos]. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Artigo de periodico
'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness (1996)
Lopes, M C V; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin; Baranauskas, V
Fonte: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, v. 143, n. 3 , p. 1021-5, 1996Tradução . . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Lopes, M. C. V., Santos Filho, S. G. dos, Hasenack, C. M., & Baranauskas, V. (1996). 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society, 143( 3 ), 1021-5.
NLM
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Lopes MCV, Santos Filho SG dos, Hasenack CM, Baranauskas V. 'SI'-'SI''O IND.2' electronic interface roughness as a consequence of 'SI'-'SI''O IND.2' topographic interface roughness. Journal of the Electrochemical Society. 1996 ;143( 3 ): 1021-5.[citado 2025 nov. 15 ]

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