Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: ARMANDO ANTONIO MARIA LAGANA - EP ; SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; HASAN, NASSER MAHMOUD - EP
- Unidade: EP
- Subjects: SEMICONDUTORES; CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Abstract: Estudamos a influência do processo de deposição de filmes de Ti (evaporação ou “sputtering“) e das receitas de recozimentos com diferentes rampas de aquecimento na morfologia do siliceto de titânio sobre Si (100). As receitas de recozimento consistiram de dois tipos de rampas iniciais de aquecimento (rápido ou lento) desde a temperatura ambiente até temperaturas entre 650'’C a 850'’C, seguido por: resfriamento natural, ou patamar isotérmico em um intervalo de tempo ou uma rampa com inclinação diferente (lenta ou rápida), seguido por patamar de 850'’C, em ambiente de nitrogênio. Com relação aos perfis temporais de temperatura e filmes evaporados de titânio sobre Si (100), verificamos que os filmes de siliceto de titânio apresentarão baixos valores de raios médios de grãos e regiões expostas de silício, quando a rampa de aquecimento era lenta. Entretanto, a superfície do siliceto de titânio apresentou raios médios de grãos maiores comparados com o caso lento quando a rampa de aquecimento era rápida. Com relação ao processo de deposição, verificamos que os filmes de siliceto de titânio apresentaram baixos valores de rugosidades, de raios médios de grãos e sem regiões expostas de silício, quando o filme de titânio era depositado por “sputtering“ e utilizando rampa com subida lenta
- Imprenta:
- Source:
- Título: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica
- ISSN: 1413-2206
- Volume/Número/Paginação/Ano: n.13, 1998
-
ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 13, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Hasan, N. M., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (13). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf -
NLM
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf -
Vancouver
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do siliceto de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1998 ;(13):[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7627a29f-9ea5-4a0f-9ad4-276705a2bd9e/BT-PEE-98_13_250925_151512.pdf - Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão
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