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  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Diamond & Related Materials. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, CRISTALOGRAFIA FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SILVA, C R S da et al. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 1142-1145, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 1142-1145. doi:10.1016/j.diamond.2004.12.011
    • NLM

      Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
    • Vancouver

      Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
  • Source: SIICUSP 2004: resumos.. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP

    Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS

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    • ABNT

      SIQUEIRA, Vinícius Valério de et al. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados. 2004, Anais.. São Paulo: USP, 2004. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Siqueira, V. V. de, Alayo Chávez, M. I., Iguchi, K., & Pereyra, I. (2004). Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados. In SIICUSP 2004: resumos.. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
    • NLM

      Siqueira VV de, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados [Internet]. SIICUSP 2004: resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
    • Vancouver

      Siqueira VV de, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados [Internet]. SIICUSP 2004: resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
  • Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP

    Subjects: FILMES FINOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 338-340, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2004). Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, 338-340. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
  • Source: 11 SIICUSP 2003 : resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIICUSP. Unidade: EP

    Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS

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    • ABNT

      SILVA, Bárbara Dariano et al. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. 2003, Anais.. São Paulo: USP, 2003. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Silva, B. D., Alayo Chávez, M. I., Iguchi, K., & Pereyra, I. (2003). Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. In 11 SIICUSP 2003 : resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
    • NLM

      Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
    • Vancouver

      Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
  • Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e PEREYRA, Inés. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2003). Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
    • NLM

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP

    Assunto: FILMES FINOS

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    • ABNT

      PRADO, J. R et al. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 330, n. 1-3, p. 196-215, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Prado, J. R., D'Addio, T. F., Fantini, M. C. de A., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2003). Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, 330( 1-3), 196-215. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
    • NLM

      Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
    • Vancouver

      Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
  • Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
    • NLM

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 366-368, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 366-368. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
  • Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson et al. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Páez Carreño, M. N., Lopes, A. T., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
    • NLM

      Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • NLM

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
  • Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), MATERIAIS, MATERIAIS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 288, n. 1-3, p. 88-95, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Cuzinatto, R. R., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2001). Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, 288( 1-3), 88-95. doi:10.1016/s0022-3093(01)00608-1
    • NLM

      Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
    • Vancouver

      Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
  • Source: 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      CASSANIGA, Rafael Franchi e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e PEREYRA, Inés. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 2001, Anais.. São Paulo: USP, 2001. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Cassaniga, R. F., Ramírez Fernandez, F. J., & Pereyra, I. (2001). Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. In 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. São Paulo: USP.
    • NLM

      Cassaniga RF, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Cassaniga RF, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PRADO, Rogerio Junqueira et al. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, v. 338-342, n. 1, p. 329-332, 2000Tradução . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Tabacniks, M. H., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2000). Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, 338-342( 1), 329-332.
    • NLM

      Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: SICUSP : Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP

    Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      CASSANIGA, Rafael Franchi et al. Aplicações de membranas em microbalanças a cristal de quartzo. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Cassaniga, R. F., Pereyra, I., Chura Chambi, R., & Ramírez Fernandez, F. J. (2000). Aplicações de membranas em microbalanças a cristal de quartzo. In SICUSP : Resumos. São Paulo: USP.
    • NLM

      Cassaniga RF, Pereyra I, Chura Chambi R, Ramírez Fernandez FJ. Aplicações de membranas em microbalanças a cristal de quartzo. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Cassaniga RF, Pereyra I, Chura Chambi R, Ramírez Fernandez FJ. Aplicações de membranas em microbalanças a cristal de quartzo. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: SBMicro 2000 : proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      LOPES, Alexandre Tavares et al. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Lopes, A. T., Alayo Chávez, M. I., Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (2000). Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP.
    • NLM

      Lopes AT, Alayo Chávez MI, Paez Carreño MN, Pereyra I. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Lopes AT, Alayo Chávez MI, Paez Carreño MN, Pereyra I. Fabrication of self-sustained membranes using PECVD SiOxNy films. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: 7.SICUSP : resumos. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP

    Assunto: MATERIAIS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      CASSANIGA, Rafael Franchi et al. Microbalança de quartzo. 1999, Anais.. São Paulo: USP, 1999. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Cassaniga, R. F., Cahmbi, R., Ramírez Fernandez, F. J., & Pereyra, I. (1999). Microbalança de quartzo. In 7.SICUSP : resumos. São Paulo: USP.
    • NLM

      Cassaniga RF, Cahmbi R, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Microbalança de quartzo. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Cassaniga RF, Cahmbi R, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Microbalança de quartzo. 7.SICUSP : resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidades: EP, IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      PEREYRA, Inés et al. Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x': H thin films. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 5, p. 2371-2379, 1998Tradução . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Pereyra, I., Páez Carreño, M. N., Tabacniks, M. H., Prado, R. J., & Fantini, M. C. de A. (1998). Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x': H thin films. Journal of Applied Physics, 84( 5), 2371-2379.
    • NLM

      Pereyra I, Páez Carreño MN, Tabacniks MH, Prado RJ, Fantini MC de A. Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x': H thin films. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 5): 2371-2379.[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Pereyra I, Páez Carreño MN, Tabacniks MH, Prado RJ, Fantini MC de A. Influence of starving plasma regime on carbon content and bonds in 'a-Si ind. 1-x''C ind. x': H thin films. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 5): 2371-2379.[citado 2024 nov. 10 ]

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