On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF ; ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP
- Unidades: IF; EP
- DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01685-6
- Subjects: FÍSICA DE PLASMAS; DIELÉTRICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Thin Solid Films
- ISSN: 0040-6090
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6 -
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6 -
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6 - Exafs analysis on sioxny films
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Informações sobre o DOI: 10.1016/S0040-6090(01)01685-6 (Fonte: oaDOI API)
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