Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films (2004)
- Autores:
- Autores USP: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF ; PEREYRA, INÊS - EP
- Unidades: IF; EP
- DOI: 10.1016/j.mseb.2004.05.015
- Assuntos: MATERIAIS; MATÉRIA CONDENSADA; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Science and Engineering B
- ISSN: 0921-5107
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PEREYRA, Inés et al. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films. Materials Science and Engineering B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015. Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Pereyra, I., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., Oliveira, R. A. R., Ribeiro, M., & Scopel, W. L. (2004). Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films. Materials Science and Engineering B. doi:10.1016/j.mseb.2004.05.015 -
NLM
Pereyra I, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Oliveira RAR, Ribeiro M, Scopel WL. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ;[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015 -
Vancouver
Pereyra I, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Oliveira RAR, Ribeiro M, Scopel WL. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ;[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015 - On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
- Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films
- Exafs analysis on sioxny films
- Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors
- EXAFS analysis on SiOxNy films
- Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures
- Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H
- Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado
- Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis
- Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mseb.2004.05.015 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
