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Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide (2005)
Silva, C R S da; Justo Filho, João Francisco ; Pereyra, Inés ; Assali, L. V. C.
Source: Diamond & Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
SILVA, C R S da et al. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 1142-1145, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 1142-1145. doi:10.1016/j.diamond.2004.12.011
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Trabalho de evento-resumo
Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados (2004)
Siqueira, Vinícius Valério de; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Iguchi, Kleber; Pereyra, Inés
Source: SIICUSP 2004: resumos.. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Vinícius Valério de et al. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados. 2004, Anais.. São Paulo: USP, 2004. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Siqueira, V. V. de, Alayo Chávez, M. I., Iguchi, K., & Pereyra, I. (2004). Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados. In SIICUSP 2004: resumos.. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
NLM
Siqueira VV de, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados [Internet]. SIICUSP 2004: resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
Vancouver
Siqueira VV de, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Otimização dos processos de lixamento e polimento em dispositivos ópticos integrados [Internet]. SIICUSP 2004: resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/12osiicusp/index_2004.htm
Artigo de periodico
Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application (2004)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Subjects: FILMES FINOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 338-340, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Escobar Forhan, N. A., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2004). Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, 338-340. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada (2003)
Silva, Bárbara Dariano; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Iguchi, Kleber; Pereyra, Inés
Source: 11 SIICUSP 2003 : resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIICUSP. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS
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ABNT
SILVA, Bárbara Dariano et al. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. 2003, Anais.. São Paulo: USP, 2003. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Silva, B. D., Alayo Chávez, M. I., Iguchi, K., & Pereyra, I. (2003). Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. In 11 SIICUSP 2003 : resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
NLM
Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
Vancouver
Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
Trabalho de evento-resumo
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Prado, Rogerio Junqueira; Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Parte de monografia/livro
Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation (2003)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Pereyra, Inés
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e PEREYRA, Inés. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2003). Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H (2003)
Prado, J. R; D'Addio, T. F; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés ; Flank, A. M
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
PRADO, J. R et al. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 330, n. 1-3, p. 196-215, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Prado, J. R., D'Addio, T. F., Fantini, M. C. de A., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2003). Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, 330( 1-3), 196-215. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
NLM
Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
Vancouver
Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
Trabalho de evento-resumo
Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films (2002)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD (2002)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 366-368, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 366-368. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
Artigo de periodico
Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films (2002)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Parte de monografia/livro
3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures (2002)
Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Lopes, Alexandre Tavares; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson et al. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Páez Carreño, M. N., Lopes, A. T., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films (2002)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
Artigo de periodico
Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (2001)
Scopel, Wanderla Luis ; Cuzinatto, R R; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), MATERIAIS, MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 288, n. 1-3, p. 88-95, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Cuzinatto, R. R., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2001). Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, 288( 1-3), 88-95. doi:10.1016/s0022-3093(01)00608-1
NLM
Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
Vancouver
Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
Trabalho de evento-resumo
Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo (2001)
Cassaniga, Rafael Franchi; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Pereyra, Inés
Source: 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASSANIGA, Rafael Franchi e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e PEREYRA, Inés. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 2001, Anais.. São Paulo: USP, 2001. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Cassaniga, R. F., Ramírez Fernandez, F. J., & Pereyra, I. (2001). Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. In 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. São Paulo: USP.
NLM
Cassaniga RF, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Cassaniga RF, Ramírez Fernandez FJ, Pereyra I. Aplicação de membranas em microbalança a cristal de quartzo. 9 SIICUSP; XVII CICTE: resumos. 2001 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H (2000)
Scopel, Wanderla Luis; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Resumos de Trabalhos. Conference titles: Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron-LNLS. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H. 2000, Anais.. Campinas: LNLS, 2000. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2000). Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H. In Resumos de Trabalhos. Campinas: LNLS.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Caracterização química e morfológica de filmes Si'O IND.X' 'N IND.Y':H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado (2000)
Scopel, Wanderla Luis; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Resumos de Trabalhos. Conference titles: Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron-LNLS. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado. 2000, Anais.. Campinas: LNLS, 2000. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2000). Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado. In Resumos de Trabalhos. Campinas: LNLS.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Pereyra I. Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Pereyra I. Estrutura de ordem local de filmes de oxi-nitreto de silício amorfo higrogenado. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role (2000)
Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Tabacniks, Manfredo Harri ; Pereyra, Inés ; Flank, A M
Source: Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira et al. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, v. 338-342, n. 1, p. 329-332, 2000Tradução . . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Tabacniks, M. H., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2000). Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, 338-342( 1), 329-332.
NLM
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H (2000)
Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Resumos de Trabalhos. Conference titles: Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron-LNLS. Unidades: IF, EP
Assunto: ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. 2000, Anais.. Campinas: LNLS, 2000. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2000). SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. In Resumos de Trabalhos. Campinas: LNLS.
NLM
Prado RJ, Fantini MC de A, Pereyra I. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Prado RJ, Fantini MC de A, Pereyra I. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films (1997)
Prado, Rogerio Junqueira; Bittencourt, Diomar da Rocha Santos; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidades: IF, EP
Assunto: FISICA APLICADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira et al. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, v. 30, n. 5, p. 659-663, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Prado, R. J., Bittencourt, D. da R. S., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (1997). Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, 30( 5), 659-663. doi:10.1107/S0021889897001349
NLM
Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349
Vancouver
Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349

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