Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS (2008)
Unidade: EPSubjects: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), PLASMA (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ÓPTICOS
ABNT
REHDER, Gustavo Pamplona. Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-162824/. Acesso em: 19 set. 2024.APA
Rehder, G. P. (2008). Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-162824/NLM
Rehder GP. Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-162824/Vancouver
Rehder GP. Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-162824/