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Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura (2007)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: ROCHA, OTÁVIO FILIPE DA - EP
  • Unidades: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: FILMES FINOS; PLASMA (MICROELETRÔNICA); PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho reporta o estudo e desenvolvimento do processo de deposição química a vapor enriquecida por plasma de alta densidade de filmes finos de óxido de silício obtidos em ultra baixa temperatura, inferior a 100°C, tendo como fonte de silício o vapor de TEOS. O principal objetivo deste trabalho é, além da obtenção de filmes de óxido de silício com propriedades elétricas adequadas para utilização em TFTs, compreender os fenômenos que regem o processo de deposição química sob um plasma de alta densidade a partir da caracterização estrutural e elétrica de filmes depositados sob diferentes condições de processo, de modo a poder-se controlar as propriedades dos materiais obtidos. As técnicas de análise empregadas para a caracterização das amostras foram: elipsometria, FTIRS, RBS, curvas de taxa de deposição e corrosão, curvas capacitância versus tensão de alta freqüência, curvas corrente elétrica versus tensão. Os principais resultados obtidos através da caracterização elétrica de capacitores MOS com área 9 x 10⁻⁴ cm-², construídos a partir dos filmes de SiOx depositados, são: VFB = -3,94 V; eOX = 3,92; Qss/q = 6,08.10¹¹ cm-²; EBD = 9,44 MV/cm e JLK = 2,50.10⁻⁷ A/cm-² @ 4 MV/cm.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 24.08.2007
  • Online source access
    How to cite
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    • ABNT

      ROCHA, Otávio Filipe da; VIANA, Carlos Eduardo. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura. 2007.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/ >.
    • APA

      Rocha, O. F. da, & Viana, C. E. (2007). Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/
    • NLM

      Rocha OF da, Viana CE. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/
    • Vancouver

      Rocha OF da, Viana CE. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/

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