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Trabalho de evento
A biopotential amplifier in CMOS for neural recording on optogenetics applications (2017)
Granado, T. C.; Gounella, R. H.; Costa, J. P.; Assagra, Y. A. O.; Carmo, João Paulo Pereira do
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2017. Unidade: EESC
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, ELETROENCEFALOGRAFIA, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
GRANADO, T. C. et al. A biopotential amplifier in CMOS for neural recording on optogenetics applications. 2017, Anais.. São Paulo, SP: SBM, 2017. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Granado, T. C., Gounella, R. H., Costa, J. P., Assagra, Y. A. O., & Carmo, J. P. P. do. (2017). A biopotential amplifier in CMOS for neural recording on optogenetics applications. In Proceedings. São Paulo, SP: SBM.
NLM
Granado TC, Gounella RH, Costa JP, Assagra YAO, Carmo JPP do. A biopotential amplifier in CMOS for neural recording on optogenetics applications. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Granado TC, Gounella RH, Costa JP, Assagra YAO, Carmo JPP do. A biopotential amplifier in CMOS for neural recording on optogenetics applications. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices (2017)
Celino, Daniel Ricardo; Gounella, Rodrigo Henrique; Costa, João Paulo de Campos da; Assagra, Yuri Andrey Olivato; Carmo, João Paulo Pereira do
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2017. Unidade: EESC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
CELINO, Daniel Ricardo et al. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices. 2017, Anais.. São Paulo, SP: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf. Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Celino, D. R., Gounella, R. H., Costa, J. P. de C. da, Assagra, Y. A. O., & Carmo, J. P. P. do. (2017). Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices. In Proceedings. São Paulo, SP: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
NLM
Celino DR, Gounella RH, Costa JP de C da, Assagra YAO, Carmo JPP do. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
Vancouver
Celino DR, Gounella RH, Costa JP de C da, Assagra YAO, Carmo JPP do. Fully integrated RF mixer in 0.7μm CMOS for intra-corporal communication devices [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/79dac6a8-6084-42af-8f7b-be970c71d648/OK___trabalho%2001%20%28SAAEI%202018%29.pdf
Trabalho de evento
Design for stability of active inductor with feedback resistance (2014)
Guerreiro, Gabriel Rebello; Soares Junior, João Navarro
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Integrated Circuits and Systems Design - SBCCI. Unidade: EESC
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
GUERREIRO, Gabriel Rebello e SOARES JUNIOR, João Navarro. Design for stability of active inductor with feedback resistance. 2014, Anais.. Rio de Janeiro, RJ: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1145/2660540.2660549. Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Guerreiro, G. R., & Soares Junior, J. N. (2014). Design for stability of active inductor with feedback resistance. In Proceedings. Rio de Janeiro, RJ: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1145/2660540.2660549
NLM
Guerreiro GR, Soares Junior JN. Design for stability of active inductor with feedback resistance [Internet]. Proceedings. 2014 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1145/2660540.2660549
Vancouver
Guerreiro GR, Soares Junior JN. Design for stability of active inductor with feedback resistance [Internet]. Proceedings. 2014 ;[citado 2024 out. 01 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1145/2660540.2660549
Trabalho de evento
Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom) (1997)
Saito, Megumi; Torres, A; Valle, Márcio Almeida
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SAITO, Megumi e TORRES, A e VALLE, Márcio Almeida. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Saito, M., Torres, A., & Valle, M. A. (1997). Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom) (1997)
Marques, Angelo Eduardo Battistini; Furlan, Rogério
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Angelo Eduardo Battistini e FURLAN, Rogério. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Marques, A. E. B., & Furlan, R. (1997). Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom) (1997)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom) (1997)
Prager, O C; Perez Lisboa, Maurício Oscar; Hidalgo, A R; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PRAGER, O C et al. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Prager, O. C., Perez Lisboa, M. O., Hidalgo, A. R., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Cardoso, A R
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da e CARDOSO, A R. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Silva, M. L. P. da, & Cardoso, A. R. (1997). Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom) (1997)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Morimoto, Nilton Itiro
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
Verri, Antônio Sandro; Correra, Fatima Salete
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom) (1997)
Hoashi, P T; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom) (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Processo de deposição por PECVD: influência dos íons (1997)
Cardoso, A R; Silva, Maria Lucia Pereira da
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, A R e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Cardoso, A. R., & Silva, M. L. P. da. (1997). Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Image reconstruction circuit using a new reconstruction technique (1997)
Martins, C A P S; Zuffo, João Antonio; Kofuji, Sergio Takeo
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian Symposium on Integrated Circuit Design. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, C A P S e ZUFFO, João Antonio e KOFUJI, Sergio Takeo. Image reconstruction circuit using a new reconstruction technique. 1997, Anais.. Porto Alegre: UFRGS, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Martins, C. A. P. S., Zuffo, J. A., & Kofuji, S. T. (1997). Image reconstruction circuit using a new reconstruction technique. In Proceedings. Porto Alegre: UFRGS.
NLM
Martins CAPS, Zuffo JA, Kofuji ST. Image reconstruction circuit using a new reconstruction technique. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Martins CAPS, Zuffo JA, Kofuji ST. Image reconstruction circuit using a new reconstruction technique. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Transformations for functional modules in hierarchical high level synthesis (1997)
Teruya, M Y; Wang, Jiang Chau ; Vale Neto, José Vieira do; Strum, Marius; Jerraya, A A
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian Symposium on Integrated Circuit Design. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TERUYA, M Y et al. Transformations for functional modules in hierarchical high level synthesis. 1997, Anais.. Porto Alegre: UFRGS, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Teruya, M. Y., Wang, J. C., Vale Neto, J. V. do, Strum, M., & Jerraya, A. A. (1997). Transformations for functional modules in hierarchical high level synthesis. In Proceedings. Porto Alegre: UFRGS.
NLM
Teruya MY, Wang JC, Vale Neto JV do, Strum M, Jerraya AA. Transformations for functional modules in hierarchical high level synthesis. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Teruya MY, Wang JC, Vale Neto JV do, Strum M, Jerraya AA. Transformations for functional modules in hierarchical high level synthesis. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Gutierrez, E A
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio e GUTIERREZ, E A. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., & Gutierrez, E. A. (1997). Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Trabalho de evento
On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom) (1997)
Torres, Luiz Carlos Molina; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.
APA
Torres, L. C. M., & Braga, N. L. de A. (1997). On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
Vancouver
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]

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