ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells (2014)
Gomez Armas, Luis Enrique ; Seabra, Antonio Carlos ; Silva, E C F; Duarte, C A; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Menezes, J. W; Jacinto, Carlos; Gusev, Gennady
Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidades: EP, IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Gomez Armas, L. E., Seabra, A. C., Silva, E. C. F., Duarte, C. A., Pagnossin, I. R., Quivy, A. A., et al. (2014). Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 61, 158-166. doi:10.1016/j.physe.2014.04.001
NLM
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Vancouver
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Artigo de periodico
Infrared chiral anomaly at finite temperature (2011)
Duarte, C A; Gomez Armas, Luis Enrique ; Silva, E C F ; Gusev, Gennady ; Bakarov, A K; Wiedmann, S; Portal, J C
Source: Europhysics Letters. Unidade: IF
Subjects: ELÉTRONS, MAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Infrared chiral anomaly at finite temperature. Europhysics Letters, v. 94, p. 37010, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gomez Armas, L. E., Silva, E. C. F., Gusev, G., Bakarov, A. K., Wiedmann, S., & Portal, J. C. (2011). Infrared chiral anomaly at finite temperature. Europhysics Letters, 94, 37010. doi:10.1209/0295-5075/94/37010
NLM
Duarte CA, Gomez Armas LE, Silva ECF, Gusev G, Bakarov AK, Wiedmann S, Portal JC. Infrared chiral anomaly at finite temperature [Internet]. Europhysics Letters. 2011 ;94 37010.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010
Vancouver
Duarte CA, Gomez Armas LE, Silva ECF, Gusev G, Bakarov AK, Wiedmann S, Portal JC. Infrared chiral anomaly at finite temperature [Internet]. Europhysics Letters. 2011 ;94 37010.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010
Artigo de periodico
Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES (2011)
Duarte, C A; Silva, E C F ; Gusev, G M ; Bakarov, A K; Wiedmann, S; Portal, J C
Source: EPL : a letters journal exploring the frontiers of physics. Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES. EPL : a letters journal exploring the frontiers of physics, v. 94, n. 3, p. 37010, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Duarte, C. A., Silva, E. C. F., Gusev, G. M., Bakarov, A. K., Wiedmann, S., & Portal, J. C. (2011). Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES. EPL : a letters journal exploring the frontiers of physics, 94( 3), 37010. doi:10.1209/0295-5075/94/37010
NLM
Duarte CA, Silva ECF, Gusev GM, Bakarov AK, Wiedmann S, Portal JC. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. EPL : a letters journal exploring the frontiers of physics. 2011 ;94( 3): 37010.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010
Vancouver
Duarte CA, Silva ECF, Gusev GM, Bakarov AK, Wiedmann S, Portal JC. Fractional quantum hall effect in second subband of a 2DES [Internet]. EPL : a letters journal exploring the frontiers of physics. 2011 ;94( 3): 37010.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/94/37010
Artigo de periodico
Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells (2010)
Tabata, A; Oliveira, J. B. B; Silva, E C F; Lamas, Tomas Eriksson; Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Journal Physics - Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells. Journal Physics - Conference Series, v. 210, n. 1, p. 012052-1 - 012052-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Tabata, A., Oliveira, J. B. B., Silva, E. C. F., Lamas, T. E., Duarte, C. A., & Gusev, G. M. (2010). Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells. Journal Physics - Conference Series, 210( 1), 012052-1 - 012052-4. doi:10.1088/1742-6596/210/1/012052
NLM
Tabata A, Oliveira JBB, Silva ECF, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells [Internet]. Journal Physics - Conference Series. 2010 ; 210( 1): 012052-1 - 012052-4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052
Vancouver
Tabata A, Oliveira JBB, Silva ECF, Lamas TE, Duarte CA, Gusev GM. Excitons in undoped AlGaAs/GaAs wide parabolic quantum wells [Internet]. Journal Physics - Conference Series. 2010 ; 210( 1): 012052-1 - 012052-4.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/210/1/012052
Artigo de periodico
The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Silva, E C F; Quivy, A. A.
Source: Journal of applied physics. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA POR ABSORÇÃO ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F e QUIVY, A. A. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, v. 97, n. 11, p. 113709/1-113709/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1925329. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Silva, E. C. F., & Quivy, A. A. (2005). The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, 97( 11), 113709/1-113709/6. doi:10.1063/1.1925329
NLM
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329
Vancouver
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 09 jun. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates (1998)
Frizzarini, M; Silva, E C F; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, M et al. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1998). Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos (1996)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Silva, E C F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E A e SILVA, E C F. Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. (1996). Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Novos resultados para excitons ligados em pocos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos (1996)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Silva, E C F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E A e SILVA, E C F. Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. (1996). Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Estudo de micro-rugosidades em pocos quanticos. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Aceitadores confinados em ilhas em interfaces de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GA IND.0.7''AI IND.0.3''AS' (1996)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Silva, E C F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E A e SILVA, E C F. Aceitadores confinados em ilhas em interfaces de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GA IND.0.7''AI IND.0.3''AS'. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. (1996). Aceitadores confinados em ilhas em interfaces de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GA IND.0.7''AI IND.0.3''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Aceitadores confinados em ilhas em interfaces de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GA IND.0.7''AI IND.0.3''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF. Aceitadores confinados em ilhas em interfaces de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GA IND.0.7''AI IND.0.3''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers (1996)
Levine, A; Silva, E C F; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Levine A, Silva ECF, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct radiative recombinations observed in multiple 'DELTA'-doped'GA''AS' layers. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures (1995)
Levine, A; Quivy, A. A.; Silva, E C F; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Meneses, E A; Oliveira, J. B. B.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Levine, A., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Dias, I. F. L., Laureto, E., Meneses, E. A., & Oliveira, J. B. B. (1995). Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Levine A, Quivy AA, Silva ECF, Dias IFL, Laureto E, Meneses EA, Oliveira JBB. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Levine A, Quivy AA, Silva ECF, Dias IFL, Laureto E, Meneses EA, Oliveira JBB. Studies of the radiative recombination processes in 'BE' - 'GAMA' doped 'GA''AS' structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Quivy, A. A.; Silva, E C F; Enderlein, R; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Meneses, E A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., Quivy, A. A., Silva, E. C. F., Enderlein, R., et al. (1995). Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A
Source: Superlattices and Microstrutuctures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, v. 15, n. 3 , p. 333-7, 1994Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, 15( 3 ), 333-7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n (1994)
Montanher, V C; Levin, A; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Silva, E C F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTANHER, V C et al. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Montanher, V. C., Levin, A., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Silva, E. C. F. (1994). Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Montanher VC, Levin A, Ceschin AM, Quivy AA, Silva ECF. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Montanher VC, Levin A, Ceschin AM, Quivy AA, Silva ECF. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. Resumos. 1994 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures (1994)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Mendonca, C A C; Beliaev, D; Shibli, S M; Silva, E C F; Meneses, E A
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, v. 143-7, p. 669-74, 1994Tradução . . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Beliaev, D., Shibli, S. M., Silva, E. C. F., & Meneses, E. A. (1994). Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum, 143-7, 669-74.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Mendonca CAC, Beliaev D, Shibli SM, Silva ECF, Meneses EA. Electronic states of n-type 'DELTA'-doping in 'GA''AS' heterostructures. Materials Science Forum. 1994 ;143-7 669-74.[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Menezes, E A
Source: Superlattices and Microstructures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 09 jun. 2024. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 jun. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Lattice response around a silicon vacancy (1990)
Dal Pino Junior, A; Silva, E C F; Leite, J. R.
Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, E C F e LEITE, J. R. Lattice response around a silicon vacancy. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F., & Leite, J. R. (1990). Lattice response around a silicon vacancy. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Lattice response around a silicon vacancy. 1990 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Lattice response around a silicon vacancy. 1990 ;[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon (1989)
Leite, J. R.; Silva, E C F; Dal Pino Junior, A
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e SILVA, E C F e DAL PINO JUNIOR, A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 263, 1989Tradução . . Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Leite, J. R., Silva, E. C. F., & Dal Pino Junior, A. (1989). Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 263.
NLM
Leite JR, Silva ECF, Dal Pino Junior A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 263.[citado 2024 jun. 09 ]
Vancouver
Leite JR, Silva ECF, Dal Pino Junior A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 263.[citado 2024 jun. 09 ]
Artigo de periodico
Hydrogen passivation of shallow donors in silicon (1989)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 693, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560360871. Acesso em: 09 jun. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 693. doi:10.1002/qua.560360871
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 jun. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Conference titles

Countries/Territories