Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications (2022)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v17i2.626
- Subjects: TRANSISTORES; SENSOR; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2022
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 17, n. 2, p. 1-9, Oct. 2022
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso e SASAKI, Kátia Regina Akemi e MARTINO, João Antonio. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626. Acesso em: 24 fev. 2026. -
APA
Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2022). Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.626 -
NLM
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2026 fev. 24 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626 -
Vancouver
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2026 fev. 24 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v17i2.626 (Fonte: oaDOI API)
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