The influence of diffusion of fluorine compounds for silicon lateral etching (2004)
- Authors:
- Autor USP: VERDONCK, PATRICK BERNARD - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.tsf.2003.12.117
- Assunto: FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Thin Solid Films,
- ISSN: 0040-6090
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 459, n. 1-2, p. 141-144
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e GOODYEAR, Alec e BRAITHWAITE, Nicholas. The influence of diffusion of fluorine compounds for silicon lateral etching. Thin Solid Films, v. 459, n. 1-2, p. 141-144, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.12.117. Acesso em: 14 mar. 2026. -
APA
Verdonck, P. B., Goodyear, A., & Braithwaite, N. (2004). The influence of diffusion of fluorine compounds for silicon lateral etching. Thin Solid Films,, 459( 1-2), 141-144. doi:10.1016/j.tsf.2003.12.117 -
NLM
Verdonck PB, Goodyear A, Braithwaite N. The influence of diffusion of fluorine compounds for silicon lateral etching [Internet]. Thin Solid Films,. 2004 ; 459( 1-2): 141-144.[citado 2026 mar. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.12.117 -
Vancouver
Verdonck PB, Goodyear A, Braithwaite N. The influence of diffusion of fluorine compounds for silicon lateral etching [Internet]. Thin Solid Films,. 2004 ; 459( 1-2): 141-144.[citado 2026 mar. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.12.117 - The influence of electrode material on argon plasmas
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