Reactive ion etching and plasma etching of tungsten

Reactive ion etching and plasma etching of tungsten (1993)

Authors:
Autor USP: VERDONCK, PATRICK BERNARD - EP
Unidade: EP
DOI: 10.1016/0167-9317(93)90084-i
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
Language: Inglês
Imprenta:
- Publisher place: Amsterdam
- Date published: 1993
Source:
- Título: Microelectronic Engineering
- ISSN: 0167-9317
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 21, p. 329-332, 1993

Informações sobre o DOI: 10.1016/0167-9317(93)90084-i (Fonte: oaDOI API)

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ABNT

VERDONCK, Patrick Bernard e BRASSEUR, G. e SWART, J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten. Microelectronic Engineering, v. 21, p. 329-332, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i. Acesso em: 17 fev. 2026.
APA

Verdonck, P. B., Brasseur, G., & Swart, J. (1993). Reactive ion etching and plasma etching of tungsten. Microelectronic Engineering, 21, 329-332. doi:10.1016/0167-9317(93)90084-i
NLM

Verdonck PB, Brasseur G, Swart J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten [Internet]. Microelectronic Engineering. 1993 ; 21 329-332.[citado 2026 fev. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i
Vancouver

Verdonck PB, Brasseur G, Swart J. Reactive ion etching and plasma etching of tungsten [Internet]. Microelectronic Engineering. 1993 ; 21 329-332.[citado 2026 fev. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i