ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise (2015)
Fernandes, Fernando Massa; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDES, Fernando Massa e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e QUIVY, A. A. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
NLM
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
Vancouver
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors (2015)
Claro, Marcel Santos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Stroppa, Daniel G
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, Marcel Santos et al. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Claro, M. S., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Stroppa, D. G. (2015). High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
NLM
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
Vancouver
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs (2009)
Duarte, José Leonil; Toni Junior, Orlando De; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Toguinho Filho, Dari Oliveira; Quivy, A. A.
Fonte: Poster Session. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, José Leonil et al. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Duarte, J. L., Toni Junior, O. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Toguinho Filho, D. O., & Quivy, A. A. (2009). Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
NLM
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Vancouver
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Diaz, Beatriz; Abramof, Eduardo; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Fonte: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Nome do evento: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 10 ago. 2024. , 2009
APA
Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
NLM
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Vancouver
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Trabalho de evento-resumo
Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells (2009)
Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, Jose Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Quivy, A. A.
Fonte: Poster Session. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, Èlder Mantovani et al. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Poças, L. C., Lourenço, S. A., & Quivy, A. A. (2009). Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
NLM
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Vancouver
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates (2009)
Franchello, Flávio; Duarte, Jose Leonil; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Souza, Leonardo Dias de; Quivy, A. A.
Fonte: Poster Session. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2009). Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. In Poster Session. São Paulo: SBF.
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Fonte: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
NLM
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Vancouver
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Trabalho de evento-resumo
Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates (2009)
Amaral, Anderson Monteiro; Silva, Sebastião William da; Quivy, A. A.
Fonte: Poster Session. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARAL, Anderson Monteiro e SILVA, Sebastião William da e QUIVY, A. A. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Amaral, A. M., Silva, S. W. da, & Quivy, A. A. (2009). Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
NLM
Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
Vancouver
Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance (2009)
Souza, Leonardo Dias de; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Duarte, José Leonil; Franchello, Flávio; Quivy, A. A.
Fonte: Poster Session. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Leonardo Dias de et al. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Souza, L. D. de, Laureto, E., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Franchello, F., & Quivy, A. A. (2009). Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
NLM
Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
Vancouver
Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
Artigo de periodico
Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems (2009)
Freitas, R O; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Nome do evento: Activity Report 2008: LNLS/Brazilian Synchrotron Light Laboratory. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SISTEMA QUÂNTICO, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, R O e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. 2009Tradução . . Disponível em: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Freitas, R. O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. Recuperado de http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html
NLM
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html
Vancouver
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html
Artigo de periodico
Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system (2009)
Mammani, Niko Churata; Gusev, Guennadii Michailovich; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Raichev, O E; Quivy, A. A.; Bakarov, A K
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMMANI, Niko Churata et al. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, v. 80, n. 7, p. 085304-1/085304-5, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mammani, N. C., Gusev, G. M., Silva, E. C. F. da, Raichev, O. E., Quivy, A. A., & Bakarov, A. K. (2009). Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, 80( 7), 085304-1/085304-5. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE (2008)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUNHA, J F R et al. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2008). Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells (2008)
Cesar, Daniel Ferreira; Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Franchello, Flávio; Laureto, E; Guimarães, Paulo Sérgio Soares; Quivy, A. A.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESAR, Daniel Ferreira et al. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Cesar, D. F., Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Franchello, F., Laureto, E., et al. (2008). Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
NLM
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Artigo de periodico
Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots (2008)
Pagnossin, Ivan Ramos; Meikap, A K; Quivy, A. A.; Gusev, Guennadii Michailovich
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAGNOSSIN, Ivan Ramos et al. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 104, n. 7, p. 073723/1-073723/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2996034. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Meikap, A. K., Quivy, A. A., & Gusev, G. M. (2008). Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 104( 7), 073723/1-073723/6. doi:10.1063/1.2996034
NLM
Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
Vancouver
Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
Artigo de periodico
Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field (2007)
Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Bakarov, A K; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, v. 76, n. 7, p. 075346/1-075346/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Portal, J. C. (2007). Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, 76( 7), 075346/1-075346/8. doi:10.1103/physrevb.76.075346
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Artigo de periodico
Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells (2007)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Cano, Nilo Francisco; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, v. 75, n. 20, p. 205324/1-205324/8, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2007). Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, 75( 20), 205324/1-205324/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells (2007)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUNHA, J F R et al. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 102, n. 4, p. 0437048/1-043704/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2769963. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells. Journal of Applied Physics, 102( 4), 0437048/1-043704/6. doi:10.1063/1.2769963
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 102( 4): 0437048/1-043704/6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2769963
Artigo de periodico
The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy (2007)
Rudno-Rudziñski, W; Sek, G; Misiewicz, J; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO MOSSBAUER, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RUDNO-RUDZIÑSKI, W et al. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, v. 101, n. 7, p. 0735018/1-073518/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2714686. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Rudno-Rudziñski, W., Sek, G., Misiewicz, J., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, 101( 7), 0735018/1-073518/4. doi:10.1063/1.2714686
NLM
Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
Vancouver
Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
Artigo de periodico
High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition (2006)
Szafraniec, J; Tsao, S; Zhang, W; Lim, H; Taguchi, M; Quivy, A. A.; Movaghar, B; Razeghi, M
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SZAFRANIEC, J et al. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, v. 88, n. 12, p. 121102/1-121102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2188056. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Szafraniec, J., Tsao, S., Zhang, W., Lim, H., Taguchi, M., Quivy, A. A., et al. (2006). High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, 88( 12), 121102/1-121102/3. doi:10.1063/1.2188056
NLM
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Vancouver
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Autores USP

Ano de publicação

Assuntos

Título da fonte

Afiliação dos autores externos normalizada

Afiliação dos autores externos não normalizada