Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates (2009)
- Authors:
- Franchello, Flávio - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Duarte, Jose Leonil - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Laureto, Edson - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Dias, Ivan Frederico Lupiano - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Souza, Leonardo Dias de - Universidade Estadual de Londrina (UEL)
- Quivy, A. A.
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; POÇOS QUÂNTICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Poster Session
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
FRANCHELLO, Flávio; DUARTE, Jose Leonil; LAURETO, Edson; et al. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Anais.. São Paulo: SBF, 2009. -
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2009). Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. In Poster Session. São Paulo: SBF. -
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ; -
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ; - p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
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