Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy (1996)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FERLAUTO, A S e QUIVY, Alain André. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Ferlauto, A. S., & Quivy, A. A. (1996). Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Ferlauto AS, Quivy AA. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. Resumos. 1996 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Ferlauto AS, Quivy AA. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. Resumos. 1996 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems
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