Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy (1996)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FERLAUTO, A S; QUIVY, A. A. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. -
APA
Ferlauto, A. S., & Quivy, A. A. (1996). Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Ferlauto AS, Quivy AA. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. Resumos. 1996 ; -
Vancouver
Ferlauto AS, Quivy AA. Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy. Resumos. 1996 ; - Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells
- High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Microscopio de tunelamento a ser usado no ar, no vacuo e no helio liquido
- Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares
- Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots
- Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer
- Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces
- Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3
- Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos
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