Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.mejo.2005.02.003
- Subjects: MICROELETRÔNICA; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; NANOTECNOLOGIA; FOTOLUMINESCÊNCIA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003 -
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003 -
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003 - Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mejo.2005.02.003 (Fonte: oaDOI API)
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