Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy (2015)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
PEREIRA, Ricardo Aluisio e QUIVY, Alain André. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Pereira, R. A., & Quivy, A. A. (2015). Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf -
NLM
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf -
Vancouver
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf - Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems
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