Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.3074376
- Subjects: SEMICONDUTORES; POÇOS QUÂNTICOS; DIFRAÇÃO POR RAIOS X
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics,
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
FREITAS, Raul O. e QUIVY, Alain André e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Freitas, R. O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376 -
NLM
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376 -
Vancouver
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376 - Campo de deformação de pontos quânticos de InAs em um substrato de GaAs (001) por varredura Renninger de Raios-X síncrotron
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.3074376 (Fonte: oaDOI API)
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