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ABNT
CHAVEZ PORRAS, Fernando. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Chavez Porras, F. (2004). Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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ABNT
GÓMEZ ARGÜELLO, Angel María. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Gómez Argüello, A. M. (2004). Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gómez Argüello AM. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Gómez Argüello AM. Estudo e projeto de um sintetizador de freqüência para RF em tecnologia CMOS de 0,35µm. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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ABNT
NABET, Bahram et al. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, v. 33, n. 2, p. 123-127, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9. Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Nabet, B., Romero, M. A., Cola, A., & Quaranta, F. (2004). The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, 33( 2), 123-127. doi:10.1007/s11664-004-0281-9
NLM
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9
Vancouver
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9
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RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
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ABNT
FERREIRA, Tiago Luiz e EL SEOUD, Omar A e BERTOTTI, Mauro. A microelectrode voltammetric study of the diffusion of CTABr aggregates in aqueous solutions. Electrochimica Acta, v. 50, n. 4, p. 1065-1070, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2004.08.005. Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Ferreira, T. L., El Seoud, O. A., & Bertotti, M. (2004). A microelectrode voltammetric study of the diffusion of CTABr aggregates in aqueous solutions. Electrochimica Acta, 50( 4), 1065-1070. doi:10.1016/j.electacta.2004.08.005
NLM
Ferreira TL, El Seoud OA, Bertotti M. A microelectrode voltammetric study of the diffusion of CTABr aggregates in aqueous solutions [Internet]. Electrochimica Acta. 2004 ; 50( 4): 1065-1070.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2004.08.005
Vancouver
Ferreira TL, El Seoud OA, Bertotti M. A microelectrode voltammetric study of the diffusion of CTABr aggregates in aqueous solutions [Internet]. Electrochimica Acta. 2004 ; 50( 4): 1065-1070.[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.electacta.2004.08.005
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ALMEIDA, Vitório Arrivabeni Longo de et al. Microgrippers driven by electrostatic comb drive actuators. Mechatronics. Tradução . Rio de Janeiro: ABCM, 2004. . Disponível em: http://www.abcm.org.br/symposiumSeries/SSM_Vol1/Section_VI_Sensors_and_Actuators/SSM_VI_05.pdf. Acesso em: 12 nov. 2024.
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Almeida, V. A. L. de, Godoy, P. H. de, Ibrahim, R. C., & Silva, E. C. N. (2004). Microgrippers driven by electrostatic comb drive actuators. In Mechatronics. Rio de Janeiro: ABCM. Recuperado de http://www.abcm.org.br/symposiumSeries/SSM_Vol1/Section_VI_Sensors_and_Actuators/SSM_VI_05.pdf
NLM
Almeida VAL de, Godoy PH de, Ibrahim RC, Silva ECN. Microgrippers driven by electrostatic comb drive actuators [Internet]. In: Mechatronics. Rio de Janeiro: ABCM; 2004. [citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.abcm.org.br/symposiumSeries/SSM_Vol1/Section_VI_Sensors_and_Actuators/SSM_VI_05.pdf
Vancouver
Almeida VAL de, Godoy PH de, Ibrahim RC, Silva ECN. Microgrippers driven by electrostatic comb drive actuators [Internet]. In: Mechatronics. Rio de Janeiro: ABCM; 2004. [citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.abcm.org.br/symposiumSeries/SSM_Vol1/Section_VI_Sensors_and_Actuators/SSM_VI_05.pdf
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MONTEALEGRE RUBIO, Wilfredo e SOUZA, Bernardo Reis Dreyer de e SILVA, Emílio Carlos Nelli. Projeto de MEMS eletrotermomecânicos utilizando otimização topologica baseada na aproximação contínua de distribuição de material. 2004, Anais.. Recife: Universidade Federal de Pernambuco, 2004. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3ba19eaa-98ed-404a-a41b-a06a6a2ee9a7/Silva_E-2004-projeto%20de%20mems%20eletrotermomecanicos.pdf. Acesso em: 12 nov. 2024.
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Montealegre Rubio, W., Souza, B. R. D. de, & Silva, E. C. N. (2004). Projeto de MEMS eletrotermomecânicos utilizando otimização topologica baseada na aproximação contínua de distribuição de material. In CILAMCE : proceedings. Recife: Universidade Federal de Pernambuco. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3ba19eaa-98ed-404a-a41b-a06a6a2ee9a7/Silva_E-2004-projeto%20de%20mems%20eletrotermomecanicos.pdf
NLM
Montealegre Rubio W, Souza BRD de, Silva ECN. Projeto de MEMS eletrotermomecânicos utilizando otimização topologica baseada na aproximação contínua de distribuição de material [Internet]. CILAMCE : proceedings. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3ba19eaa-98ed-404a-a41b-a06a6a2ee9a7/Silva_E-2004-projeto%20de%20mems%20eletrotermomecanicos.pdf
Vancouver
Montealegre Rubio W, Souza BRD de, Silva ECN. Projeto de MEMS eletrotermomecânicos utilizando otimização topologica baseada na aproximação contínua de distribuição de material [Internet]. CILAMCE : proceedings. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3ba19eaa-98ed-404a-a41b-a06a6a2ee9a7/Silva_E-2004-projeto%20de%20mems%20eletrotermomecanicos.pdf
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ARASHIRO, Emerson Yasuyuki e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Polymeric corrugated membranes of PMMA fabricated by micro-casting technique for MOEMS and optical applications. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Arashiro, E. Y., & Paez Carreño, M. N. (2004). Polymeric corrugated membranes of PMMA fabricated by micro-casting technique for MOEMS and optical applications. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Arashiro EY, Paez Carreño MN. Polymeric corrugated membranes of PMMA fabricated by micro-casting technique for MOEMS and optical applications. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Arashiro EY, Paez Carreño MN. Polymeric corrugated membranes of PMMA fabricated by micro-casting technique for MOEMS and optical applications. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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VERDONCK, Patrick Bernard. Oxygen plasma etching mechanisms of resist. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
APA
Verdonck, P. B. (2004). Oxygen plasma etching mechanisms of resist. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Verdonck PB. Oxygen plasma etching mechanisms of resist. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Verdonck PB. Oxygen plasma etching mechanisms of resist. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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MANSANO, Ronaldo Domingues et al. The influence of additives on electrical characteristics of DLC films deposited by reactive sputtering. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Mansano, R. D., Mousinho, A. P., Zambom, L. da S., Medeiros, M. S. de, Verdonck, P. B., Guerino, M., & Massi, M. (2004). The influence of additives on electrical characteristics of DLC films deposited by reactive sputtering. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Mansano RD, Mousinho AP, Zambom L da S, Medeiros MS de, Verdonck PB, Guerino M, Massi M. The influence of additives on electrical characteristics of DLC films deposited by reactive sputtering. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Mansano RD, Mousinho AP, Zambom L da S, Medeiros MS de, Verdonck PB, Guerino M, Massi M. The influence of additives on electrical characteristics of DLC films deposited by reactive sputtering. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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MARTINO, João Antonio et al. Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs. 8. Symposium on High Purity Silicon: proceedings. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Martino, J. A., Rafi, J. M., Mercha, A., Simoen, E., & Claeys, C. (2004). Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs. In 8. Symposium on High Purity Silicon: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
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Martino JA, Rafi JM, Mercha A, Simoen E, Claeys C. Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs. In: 8. Symposium on High Purity Silicon: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 2004. [citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Martino JA, Rafi JM, Mercha A, Simoen E, Claeys C. Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs. In: 8. Symposium on High Purity Silicon: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 2004. [citado 2024 nov. 12 ]
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PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Evaluation of the channel engineering impact on the analog performance of deep-submicrometer partially depleted SOI MOSFETS at low temperatures. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Pavanello, M. A., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2004). Evaluation of the channel engineering impact on the analog performance of deep-submicrometer partially depleted SOI MOSFETS at low temperatures. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2003-9. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Evaluation of the channel engineering impact on the analog performance of deep-submicrometer partially depleted SOI MOSFETS at low temperatures. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2003-9. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Evaluation of the channel engineering impact on the analog performance of deep-submicrometer partially depleted SOI MOSFETS at low temperatures. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2003-9. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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MARTINS, João Paulo Trierveiler. Turbo decodificadores de bloco de baixa potência para comunicação digital sem fio. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092004-161308/. Acesso em: 12 nov. 2024.
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Martins, J. P. T. (2004). Turbo decodificadores de bloco de baixa potência para comunicação digital sem fio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092004-161308/
NLM
Martins JPT. Turbo decodificadores de bloco de baixa potência para comunicação digital sem fio [Internet]. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092004-161308/
Vancouver
Martins JPT. Turbo decodificadores de bloco de baixa potência para comunicação digital sem fio [Internet]. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092004-161308/
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TRIANA, Rodrigo Alberto Llorente. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Triana, R. A. L. (2004). Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Triana RAL. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Triana RAL. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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REHDER, Gustavo Pamplona e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Rehder, G. P., & Paez Carreño, M. N. (2004). Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. In Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rehder GP, Paez Carreño MN. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Rehder GP, Paez Carreño MN. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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ARAÚJO, Hugo Puertas de e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e VALLE, Márcio de Almeida. Birefringence characterization of TiO2 thin films deposited by DC sputtering over tilted substrates. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Araújo, H. P. de, Santos Filho, S. G. dos, & Valle, M. de A. (2004). Birefringence characterization of TiO2 thin films deposited by DC sputtering over tilted substrates. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004.. Pennington: The Electrochemical Society.
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Araújo HP de, Santos Filho SG dos, Valle M de A. Birefringence characterization of TiO2 thin films deposited by DC sputtering over tilted substrates. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Araújo HP de, Santos Filho SG dos, Valle M de A. Birefringence characterization of TiO2 thin films deposited by DC sputtering over tilted substrates. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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GIACOMINI, Renato Camargo e MARTINO, João Antonio. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Giacomini, R. C., & Martino, J. A. (2004). An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
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Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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TOQUETTI, Leandro Zeidan et al. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Toquetti, L. Z., Santos Filho, S. G. dos, Diniz, J. A., & Swart, J. W. (2004). Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
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Toquetti LZ, Santos Filho SG dos, Diniz JA, Swart JW. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos, Diniz JA, Swart JW. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Analysis of harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Pavanello, M. A., Cerdeira, A., Martino, J. A., Alemán, M. A., & Flandre, D. (2004). Analysis of harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures. In Microelectronic technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Pavanello MA, Cerdeira A, Martino JA, Alemán MA, Flandre D. Analysis of harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures. Microelectronic technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Pavanello MA, Cerdeira A, Martino JA, Alemán MA, Flandre D. Analysis of harmonic distortion in graded-channel SOI MOSFETs at high temperatures. Microelectronic technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13'mu'm SOI nMOSFETs in low temperature operation. 2004, Anais.. Noordwijk: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 12 nov. 2024.
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Pavanello, M. A., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2004). Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13'mu'm SOI nMOSFETs in low temperature operation. In Proceedings. Noordwijk: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13'mu'm SOI nMOSFETs in low temperature operation. Proceedings. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Comparison between drain induced barrier lowering in partially and fully depleted 0.13'mu'm SOI nMOSFETs in low temperature operation. Proceedings. 2004 ;[citado 2024 nov. 12 ]
