The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.mejo.2003.10.005
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES; MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 18 fev. 2026. -
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005 -
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005 -
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005 - Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mejo.2003.10.005 (Fonte: oaDOI API)
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