Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys (2005)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1002/pssc.200461516
- Assunto: ESTADO SÓLIDO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physics Status Solidi C
- ISSN: 1610-1634
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516. Acesso em: 01 nov. 2025. -
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, 2( 7), 2508-2511. doi:10.1002/pssc.200461516 -
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516 -
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516 - Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells
- Estrutura eletronica de multiplas camadas e super-redes 'GAMA'. Doping em 'SI'
- Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres
- Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'
- Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N
- AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN
- Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides
- First-principles calculations of the thermodynamic and structural properties of strained 'In IND.X''Ga IND.1-X'N and 'Al IND.X''Ga IND.1-X' N alloys
- Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds
- Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells
Informações sobre o DOI: 10.1002/pssc.200461516 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas