Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon

Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon (1999)

Authors:
USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
Language: Inglês
Imprenta:
- Publisher place: London
- Date published: 1999
Source:
- Título: Superlattices and Microstructures
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 25, n. 1/2, p. 67-71, 1999

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ABNT

ROSA, A. L. et al. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 67-71, 1999Tradução . . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA

Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 67-71.
NLM

Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver

Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2026 jan. 25 ]