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Artigo de periodico
Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells (2017)
Aquino, V M de; Iwamoto, H; Dias, I F L; Laureto, E; Silva, M A T da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, ELETRÔNICA QUÂNTICA
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ABNT
AQUINO, V M de et al. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 101, n. ja, p. 236-243, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Dias, I. F. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, 101( ja), 236-243. doi:10.1016/j.spmi.2016.11.042
NLM
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Vancouver
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Artigo de periodico
Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors (2017)
Claro, M. S.; Fernandes, F. M.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CLARO, M. S. et al. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 232-239, 2017Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Claro, M. S., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, 104, 232-239. doi:10.1016/j.spmi.2017.02.015
NLM
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub
Vancouver
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via*3Dihub
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices (2000)
Zeballos-Velasquez, E L; Moncada L, H; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
ZEBALLOS-VELASQUEZ, E L e MONCADA L, H e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 28, n. 3, p. 207-215, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Zeballos-Velasquez, E. L., Moncada L, H., & Fantini, M. C. de A. (2000). Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, 28( 3), 207-215. doi:10.1006/spmi.2000.0902
NLM
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902
Vancouver
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Artigo de periodico
Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (1999)
Santos, Marcelo Trindade dos; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toporov, A. I.; Nataushev, Y. V.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Marcelo Trindade dos et al. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 1/2, p. 167-173, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, M. T. dos, Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Superlattices and Microstructures, 24( 1/2), 167-173. doi:10.1006/spmi.1998.0632
NLM
Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nataushev YV. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 24( 1/2): 167-173.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632
Vancouver
Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nataushev YV. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 24( 1/2): 167-173.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632
Artigo de periodico
Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon (1999)
Rosa, A. L.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROSA, A. L. et al. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 67-71, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 67-71.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors (1999)
Manzoli, J. E.; Romero, Murilo Araujo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructure and Microdevices. Unidade: EESC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
MANZOLI, J. E. e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press. . Acesso em: 04 nov. 2025. , 1999
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1999). Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells (1999)
Choque, N. M. S.; Beliaev, D.; Soares, J. A. N. T.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sperandio, A. L.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHOQUE, N. M. S. et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 26, n. 4, p. 243-250, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Choque, N. M. S., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1999). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 26( 4), 243-250. doi:10.1006/spmi.1999.0770
NLM
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Vancouver
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, Alexandre ; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, Alexandre et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells (1997)
Soler, M A G; Depeyrot, J; Morais, P C; Soares, J A N T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Enderlein, R; Weimann, G; Trankle, G
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER, M A G et al. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 21, n. 4, p. 581-585, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Soler, M. A. G., Depeyrot, J., Morais, P. C., Soares, J. A. N. T., Scólfaro, L. M. R., Silva, E. C. F. da, et al. (1997). Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, 21( 4), 581-585. doi:10.1006/spmi.1996.0206
NLM
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Vancouver
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Artigo de periodico
Localization of electronic states in semiconductor superlattices (1995)
Waki, M; Watari, K.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WAKI, M e WATARI, K. Localization of electronic states in semiconductor superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 17, n. 1 , p. 111-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1022. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Waki, M., & Watari, K. (1995). Localization of electronic states in semiconductor superlattices. Superlattices and Microstructures, 17( 1 ), 111-5. doi:10.1006/spmi.1995.1022
NLM
Waki M, Watari K. Localization of electronic states in semiconductor superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 111-5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1022
Vancouver
Waki M, Watari K. Localization of electronic states in semiconductor superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 111-5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1022
Artigo de periodico
Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method (1994)
Beliaev, D; Enderlein, R; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Menezes, E A
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2025. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Line shape analysis of photoreflectance spectra from 'DELTA'-doped structures (1992)
Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Martins, José Manuel de Vasconcelos; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ENDERLEIN, R et al. Line shape analysis of photoreflectance spectra from 'DELTA'-doped structures. Superlattices and Microstructures, v. 12, n. 2 , p. 175-9, 1992Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Martins, J. M. de V., & Leite, J. R. (1992). Line shape analysis of photoreflectance spectra from 'DELTA'-doped structures. Superlattices and Microstructures, 12( 2 ), 175-9.
NLM
Enderlein R, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR. Line shape analysis of photoreflectance spectra from 'DELTA'-doped structures. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 175-9.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Enderlein R, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR. Line shape analysis of photoreflectance spectra from 'DELTA'-doped structures. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 175-9.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Influence of electric fields in the 'SI' delta-doped 'GA''AS' self-consistent potential profile (1992)
Scolfaro, L M R; Camata, R P; Martins, José Manuel de Vasconcelos; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Influence of electric fields in the 'SI' delta-doped 'GA''AS' self-consistent potential profile. Superlattices and Microstructures, v. 12, n. 2 , p. 203-6, 1992Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Camata, R. P., Martins, J. M. de V., & Leite, J. R. (1992). Influence of electric fields in the 'SI' delta-doped 'GA''AS' self-consistent potential profile. Superlattices and Microstructures, 12( 2 ), 203-6.
NLM
Scolfaro LMR, Camata RP, Martins JM de V, Leite JR. Influence of electric fields in the 'SI' delta-doped 'GA''AS' self-consistent potential profile. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 203-6.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Camata RP, Martins JM de V, Leite JR. Influence of electric fields in the 'SI' delta-doped 'GA''AS' self-consistent potential profile. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 203-6.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells (1992)
Mendonca, C A C; Scolfaro, L M R; Oliveira, J. B. B.; Plentz, F; Micovic, M; Leite, J. R.; Meneses, E A
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MENDONCA, C A C et al. Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 12, n. 2 , p. 257-60, 1992Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mendonca, C. A. C., Scolfaro, L. M. R., Oliveira, J. B. B., Plentz, F., Micovic, M., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (1992). Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures, 12( 2 ), 257-60.
NLM
Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Oliveira JBB, Plentz F, Micovic M, Leite JR, Meneses EA. Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 257-60.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Mendonca CAC, Scolfaro LMR, Oliveira JBB, Plentz F, Micovic M, Leite JR, Meneses EA. Electronic properties of 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 2 ): 257-60.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Magneto-excitons in asymmetric modulation-doped quantum wells (1992)
Henriques, André Bohomoletz
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. Magneto-excitons in asymmetric modulation-doped quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 12, n. 4 , p. 527-9, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90314-u. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B. (1992). Magneto-excitons in asymmetric modulation-doped quantum wells. Superlattices and Microstructures, 12( 4 ), 527-9. doi:10.1016/0749-6036(92)90314-u
NLM
Henriques AB. Magneto-excitons in asymmetric modulation-doped quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 4 ): 527-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90314-u
Vancouver
Henriques AB. Magneto-excitons in asymmetric modulation-doped quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1992 ;12( 4 ): 527-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90314-u
Artigo de periodico
Effect of temperature on the buit-in electric field in 'GA''AS' / 'GA'as''as': 'SI' heterostructures (1991)
Martins, José Manuel de Vasconcelos; Scolfaro, L M R; Mendonca, C A C; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, José Manuel de Vasconcelos et al. Effect of temperature on the buit-in electric field in 'GA''AS' / 'GA'as''as': 'SI' heterostructures. Superlattices and Microstructures, v. 10, p. 239, 1991Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martins, J. M. de V., Scolfaro, L. M. R., Mendonca, C. A. C., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (1991). Effect of temperature on the buit-in electric field in 'GA''AS' / 'GA'as''as': 'SI' heterostructures. Superlattices and Microstructures, 10, 239.
NLM
Martins JM de V, Scolfaro LMR, Mendonca CAC, Meneses EA, Leite JR. Effect of temperature on the buit-in electric field in 'GA''AS' / 'GA'as''as': 'SI' heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1991 ;10 239.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Martins JM de V, Scolfaro LMR, Mendonca CAC, Meneses EA, Leite JR. Effect of temperature on the buit-in electric field in 'GA''AS' / 'GA'as''as': 'SI' heterostructures. Superlattices and Microstructures. 1991 ;10 239.[citado 2025 nov. 04 ]

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